去年11月,高通预告了将要推出的最新芯片骁龙835将采用10nm工艺,将会比前代旗舰产品有27%的性能提升,但功耗下降了40%。

日前,这颗将要在CES正式发布的芯片的详细规格也被外媒曝光,它将采用4×2.45GHz大核、4×1.9GHz小核八核心设计,大小核均为Kryo280架构,GPU为Adreno 540,支持4K屏、UFS 2.1、双摄以及LPDDR4x四通道内存,整合了Cat.16基带。支持Quick Charge 4.0快速充电技术,基于三星10nm FinFET工艺打造。

值得注意的是,Kyro280架构的使用,对VR的支持也提升了20%以上, Adreno 540 GPU 则提升了25%的4K视频播放效率,在充电方面,QuickCharge 4.0 能实现充电五分钟,提供 5 小时续航力、 15 分钟内将设备的电量充到 50%,内置了 INOV技术相较于 Quick Charge 3.0,其充电速度提升 20%,充电效率提升 30%。

高通每次推出旗舰芯片,哪家手机厂商能够拿到首发也成立大家关注的问题,根据之前的消息,三星S8将成为首发产品,2017年3月正式推出,但后来由于10nm工艺导致供应链方面的问题,三星可能将发布时间推迟到4月。

但在4月前,有消息表明小米6将于今年2月发布,搭载的就是高通835芯片,另外LG也有在第一季度发布自家新旗舰手机LG G6的计划,同样会采用高通最新的芯片。

另外一方面,近日魅族刚刚跟高通达成和解,,按照他们过去发布手机的频率,在第一季度推出最新旗舰也不是没有可能。

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